Selon des médias étrangers, une équipe de recherche dirigée par le professeur Zhou Shengjun de l’Université de Wuhan a développé une LED verte à base de GaN à haute efficacité sur un substrat de saphir. L’équipe de recherche propose d’utiliser une couche de nucléation hybride (couche de nucléation hybride) composée de dispositifs AIN pulvérisés (AlN pulvérisés) et de GaN à température moyenne pour améliorer l’efficacité quantique des LED vertes à base de GaN.
Actuellement, le développement d’émetteurs de nitrure III à haut rendement dans toute la gamme visible est très attrayant, et la fusion de plusieurs émetteurs de nitrure III couleur permet une gestion spectrale hybride efficace et précise, résultant en des affichages haute résolution et diverses applications d’éclairage intelligent, mais le principal obstacle à l’heure actuelle est la faible efficacité des émetteurs de nitrure III dans la région spectrale verte à bronzée.
À cette fin, des chercheurs de l’Université de Wuhan ont utilisé une nouvelle couche de nucléation hybride pour fabriquer des LED vertes InGaN/GaN à haut rendement sur des substrats en saphir. Au cours du processus de production, la couche de nucléation mixte et la surface de GaN généreront une structure de défaut d’empilement, ce qui aidera à obtenir une compensation de contrainte d’inadéquation.
Bénéficiant de la relaxation initiale de la contrainte de décalage thermique, la densité de déloaction et la contrainte résiduelle dans les LED vertes sont réduites. En conséquence, l’équipe de recherche a amélioré l’efficacité d’environ 16% lors de la production de masse.
L’équipe de recherche de l’Université de Wuhan a déclaré que la perspective d’application de la couche de nucléation hybride est très prometteuse pour la réalisation d’émetteurs de nitrure III à haut rendement dans la région verte à jaune-brun.
